В лаборатории Наноструктур и оптических покрытий разработаны и созданы 4 экспериментальные установки импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на базе вакуумных универсальных постов ВУП-4 и ВУП-5. Современные безмасляные системы вакуумной откачки, такие как спиральные форвакуумные, турбомолекулярные и криогенные насосы, обеспечивают остаточное давление в камере не хуже 10-7 Торр. В качестве источников абляции мишеней используются УФ эксимерные KrF — лазеры (λ=248 нм) и твердотельные YAG:Nd-лазеры, излучающие на длине волны λ=532 нм (вторая гармоника).
В лаборатории Наноструктур и оптических покрытий имеются вакуумные технологические установки магнетронного и термического осаждения.
Сканирующая Зондовая микроскопия
Сканирующая зондовая микроскопия — класс микроскопии для получения изображения поверхности и её локальных характеристик. Этот метод позволяет получить трёхмерное изображение поверхности (топографию) с высоким разрешением. Работа сканирующего зондового микроскопа основана на взаимодействии поверхности образца с зондом (кантилевер, игла или оптический зонд). Для регистрации используют различные типы сенсоров, чувствительность которых позволяет зафиксировать малые по величине возмущения. Для получения полноценного растрового изображения используют различные устройства развертки по осям X и Y (например, пьезотрубки, плоскопараллельные сканеры).
Оптическая спектроскопия
Лаборатория располагает следующим спектроскопическим оборудованием: спектрофотометр Cary 50, спектрометр Ocean Optics HR4000 и монохроматор-спектрограф SOL Instruments MS3504i, HeCd лазер для возбуждения фотолюминесценции
Электрические характеристики и низкотемпературные исследования
Для измерения транспортных характеристик применяется установка Ecopia HMS-3000, которая работает на основе четырехточечного метода Ван-дер-Пау
Измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) осуществляется с помощью установки, в основе которой источник/измеритель Keithley 2612. Существует также возможность измерения температурных зависимостей ВАХ в широком диапазоне температур (10 К — 320 К). Для этого образец помещается в гелиевый криостат на замкнутом цикле
